在今天的年度業(yè)績說明會上，國產半導體設備公司中微董事長尹志堯提到該公司正在開發(fā)新一代的刻蝕設備，可用于5nm以下的邏輯工藝、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產品。

中微公司透露，公司積極關注下游市場擴產計劃并努力爭取各種可能的市場機會，公司的刻蝕設備在國內主要客戶端市場占有率不斷提升。

在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65nm到5nm等先進的芯片生產線上;同時，公司根據先進集成電路廠商的需求，已開發(fā)出小于5nm刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領先客戶的批量訂單。

公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋5nm以下更多刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。

在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層和128層的量產，同時公司根據存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。

此外，公司的電感性等離子刻蝕設備已經在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產，根據客戶的技術發(fā)展需求，正在進行下一代產品的技術研發(fā)，以滿足5nm以下的邏輯芯片、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產品的ICP刻蝕需求，并進行高產出的ICP刻蝕設備的研發(fā)。

2021年，中微公司實現營業(yè)收入31.08億元，同比增長36.72%;歸屬于母公司所有者的凈利潤10.11億元，同比增長105.49%。

關鍵詞： 半導體設備 刻蝕設備 芯片生產 邏輯芯片